9月28日，中國半導體功率器件設計領軍者——無錫新潔能股份有限公司（股票簡稱“新潔能”、股票代碼“605111”）在上交所主板正式掛牌上市，本次A股發(fā)行價為19.91元/股，發(fā)行數(shù)量為2530萬股，保薦機構（主承銷商）為平安證券股份有限公司。

連續(xù)4年榮膺“中國半導體功率器件十強企業(yè)”

新潔能成立于2013年1月，專業(yè)從事MOSFET（金屬—氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等半導體芯片和功率器件的研發(fā)設計及銷售。公司是專業(yè)化垂直分工廠商，芯片主要由公司設計方案后交由芯片代工企業(yè)進行生產(chǎn)，功率器件主要由公司委托外部封裝測試企業(yè)對芯片進行封裝測試而成。公司已初步完成部分先進封裝測試生產(chǎn)線的建設，將部分芯片自主封裝成品后對外銷售。公司產(chǎn)品系列齊全，廣泛應用于消費電子、汽車電子、工業(yè)電子以及新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領域。自2016年以來，公司連續(xù)4年名列中國半導體行業(yè)協(xié)會發(fā)布的“中國半導體功率器件十強企業(yè)”，為國內(nèi)領先的半導體功率器件設計企業(yè)。

公司是高新技術企業(yè)，且為中國半導體行業(yè)協(xié)會會員、中國電源學會理事單位。公司亦為江蘇半導體行業(yè)協(xié)會2017年度先進會員單位，已建立了江蘇省功率器件工程技術研究中心、江蘇省企業(yè)研究生工作站、東南大學-無錫新潔能功率器件技術聯(lián)合研發(fā)中心。公司已獲得2019年度江蘇省科學技術一等獎，并獲得2020年度國家技術發(fā)明獎提名。截至2020年1月19日，公司擁有97項專利，其中發(fā)明專利35項、實用新型59項，外觀設計3項。此外，公司已通過ISO9001質(zhì)量管理體系認證等多項權威認證。

率先掌握超結理論技術，三季報營收與凈利雙雙大幅預增

新潔能基于全球半導體功率器件先進理論技術開發(fā)領先產(chǎn)品，是國內(nèi)率先掌握超結理論，并量產(chǎn)屏蔽柵功率MOSFET及超結功率MOSFET的企業(yè)之一，是國內(nèi)較早同時擁有溝槽型功率MOSFET、超結功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET及IGBT四大產(chǎn)品平臺的本土企業(yè)之一。

截至2020年1月19日，公司擁有97項專利，其中發(fā)明專利35項，發(fā)明專利數(shù)量和占比在國內(nèi)半導體功率器件行業(yè)內(nèi)位居前列；公司擁有的該等專利與MOSFET、IGBT、功率模塊以及先進工藝技術密切相關，對公司核心技術形成了專利保護，對同行業(yè)競爭者和潛在競爭者均形成了較高的技術壁壘。

此外，公司參與在IEEE等國際知名期刊中發(fā)表論文13篇，其中SCI收錄論文7篇，不斷提升公司自身在先進功率半導體領域的整體技術水平，拉大了與國內(nèi)同行業(yè)競爭者的技術差距。

公司與科研院所在功率器件設計領域開展長期合作，針對重點項目成立了技術攻關小組。公司持續(xù)推進高端MOSFET、IGBT的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，在已推出先進的超結功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET和超薄晶圓IGBT數(shù)款產(chǎn)品基礎上，進一步對上述產(chǎn)品升級換代。公司目前亦率先在國內(nèi)研發(fā)基于12英寸晶圓片工藝平臺的MOSFET產(chǎn)品，部分產(chǎn)品已處于小批量風險試產(chǎn)環(huán)節(jié)。公司還進一步提前布局半導體功率器件最先進的技術領域，開展對SiC/GaN寬禁帶半導體功率器件的研究探索和產(chǎn)業(yè)化，緊跟最先進的技術梯隊，提升公司核心產(chǎn)品競爭力和國內(nèi)外市場地位。

報告期各期（2017年度~2019年度），新潔能分別實現(xiàn)營業(yè)收入50,375.98萬元、71,579.03萬元和77,253.69萬元，凈利潤分別為5,189.11萬元、14,141.89萬元和9,820.95萬元。

值得一提的是，新潔能預計2020年1-9月營業(yè)收入?yún)^(qū)間為64,000.00萬元至65,500.00萬元，同比上漲18.05%至20.82%；預計2020年1-9月歸屬于母公司所有者的凈利潤區(qū)間為9,200.00萬元至9,700.00萬元，同比上漲44.82%至52.69%。

政策扶持，我國半導體分立器件業(yè)蘊含巨大發(fā)展契機

據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2017年我國半導體分立器件市場規(guī)模已達到2473.9億元，2018年我國半導體分立器件全年銷售規(guī)模為2658.4億元，較2017年增長7.50%。隨著國家鼓勵政策的大力扶持、半導體分立器件國產(chǎn)化趨勢顯現(xiàn)，以及下游應用領域需求增長的拉升，我國半導體分立器件行業(yè)蘊含著巨大的發(fā)展契機。

據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2017年中國半導體分立器件進口金額為281.8億美元，相較于2014年進口額下降了10.20%。

根據(jù)全球知名市場研究機構IHS統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2016年、2017年國內(nèi)MOSFET市場份額分別為22.07億美元、26.39億美元。新潔能2016年、2017年分別占國內(nèi)MOSFET市場份額比例分別為（年度平均匯率分別為6.6423、6.7518）2.88%、2.83%，且公司為除英飛凌（Infineon）、安森美（ON Semiconductor）、瑞薩電子（Renesas Electronics）等9家外資品牌外的國內(nèi)排名前茅的MOSFET研發(fā)設計及銷售本土企業(yè)。根據(jù)IHS、電子工程世界網(wǎng)Yole相關數(shù)據(jù)，2018年全球MOSFET市場份額預計將增長至76億美元，比照Yole關于國內(nèi)功率器件占全球份額約39%測算，國內(nèi)2018年MOSFET市場份額預計將達到29.64億美元，新潔能占國內(nèi)MOSFET市場份額比例達3.65%。

市場研究機構IC Insights指出在各類半導體功率器件組件中，未來增長最強勁的產(chǎn)品或將是MOSFET與IGBT模塊。

新潔能本次發(fā)行募集資金扣除發(fā)行費用后，將主要用于“超低能耗高可靠性半導體功率器件研發(fā)升級及產(chǎn)業(yè)化項目”“半導體功率器件封裝測試生產(chǎn)線建設項目”“碳化硅寬禁帶半導體功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目”“研發(fā)中心建設項目”及“補充流動資金”。

對于公司的發(fā)展戰(zhàn)略，新潔能董事長、總經(jīng)理朱袁正先生在上市路演中表示：作為國內(nèi)半導體功率器件領先企業(yè)，公司將專注于中高端半導體功率器件和模塊的研發(fā)設計及銷售。在保持MOSFET產(chǎn)品技術和市場優(yōu)勢基礎上，公司將不斷引進各類管理、技術、營銷人才，構建高效、現(xiàn)代化的經(jīng)營管理體系，進一步拓展MOSFET產(chǎn)品、重點深化IGBT產(chǎn)品，成為國內(nèi)自主創(chuàng)新、技術領先、品質(zhì)高端的自主品牌的優(yōu)質(zhì)企業(yè)。同時，公司將進一步加大研發(fā)投入，持續(xù)整合半導體功率器件封裝測試環(huán)節(jié)垂直產(chǎn)業(yè)鏈，掌控先進半導體功率器件封裝產(chǎn)線并布局SiC/GaN（碳化硅/氮化鎵）寬禁帶半導體功率器件，進一步強化企業(yè)核心競爭力，加快發(fā)展成為國際一流的半導體功率器件企業(yè)。

（本文不構成任何投資建議，信息披露內(nèi)容以公司公告為準。投資者據(jù)此操作，風險自擔）