每經(jīng)AI快訊，記者從中國科學(xué)院物理研究所獲悉，我國科研團隊在碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化方面取得新進展。源于中科院物理所關(guān)鍵核心技術(shù)轉(zhuǎn)化的北京天科合達，近日與國際知名半導(dǎo)體企業(yè)英飛凌科技簽訂一份長期供貨協(xié)議，提供6英寸碳化硅材料，確保其整個供應(yīng)鏈的穩(wěn)定。

碳化硅是一種性能優(yōu)異的半導(dǎo)體材料。相比同類硅基器件，碳化硅器件具有耐高溫、耐高壓、高頻特性好、體積小和重量輕等優(yōu)點，在電動汽車、光伏、5G等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值。

中科院物理所研究員、天科合達首席科學(xué)家陳小龍介紹，歷時近20年，從基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究到成果轉(zhuǎn)化，科研團隊形成了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的技術(shù)路線，進而推動碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)化公司天科合達的成立，并發(fā)展為國內(nèi)最大、國際第四的導(dǎo)電碳化硅襯底供應(yīng)商。

據(jù)介紹，科研團隊制造的碳化硅晶體直徑已從小于10毫米逐步增大到2英寸、4英寸、6英寸和8英寸，有效降低了單位成本。在傳統(tǒng)“氣相法”晶體生長的基礎(chǔ)上，目前科研團隊還在進一步探索碳化硅“液相法”晶體生長技術(shù)。（央視新聞）