每經(jīng)訊，據(jù)啟信寶，新三板創(chuàng)新層公司瑞能半導（873928）新增專利信息，專利權(quán)人為瑞能半導，發(fā)明人是付紅霞、章劍鋒、崔京京。專利授權(quán)日為2023年7月28日，專利名稱為“溝槽型MOSFET晶體管”，專利類型為中國實用新型專利，專利申請?zhí)枮镃N202320007254.0。

該專利摘要顯示：本申請公開了一種溝槽型MOSFET晶體管，涉及半導體器件技術(shù)領域。該溝槽型MOSFET晶體管包括第一摻雜類型的襯底，襯底包括第一表面，第一表面上設置有第一摻雜類型的外延層；設置在外延層內(nèi)的第二摻雜類型的阱區(qū)；設置在阱區(qū)內(nèi)的柵極溝槽結(jié)構(gòu)；柵極溝槽結(jié)構(gòu)，包括設置在遠離第一表面一側(cè)的柵極；設置在柵極與柵極溝槽結(jié)構(gòu)的底部之間的多個相互絕緣的第一場板，在平行于第一表面的方向上，各個第一場板具有相同的長度；柵極與第一場板之間絕緣；在垂直于第一表面的方向上，相鄰兩個第一場板之間的距離由各個第一場板的厚度確定。根據(jù)本申請能夠保證溝槽型MOSFET晶體管內(nèi)電場分布均勻，且簡化制造工藝。

(記者 曾健輝)

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