2023-10-17 16:15:51
10月17日，三星電子內(nèi)存業(yè)務負責人Lee Jung-Bae發(fā)表文章稱，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的運行芯片，希望明年初可以實現(xiàn)量產(chǎn)；該公司還正在開發(fā)行業(yè)內(nèi)領先的11納米級DRAM芯片。他還表示，對于DRAM，三星正在研發(fā)3D堆疊結構和新材料；對于NAND閃存，正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導體行業(yè)最小的單元尺寸。三星計劃于10月20日在硅谷舉辦“2023三星存儲技術日”。（界面）
特別提醒：如果我們使用了您的圖片，請作者與本站聯(lián)系索取稿酬。如您不希望作品出現(xiàn)在本站，可聯(lián)系我們要求撤下您的作品。
歡迎關注每日經(jīng)濟新聞APP
