每經(jīng)AI快訊，2024年1月18日，光大證券發(fā)布研報(bào)點(diǎn)評(píng)半導(dǎo)體金屬行業(yè)。

事件：近日，6家市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)分別更新了對(duì)2024年半導(dǎo)體市場(chǎng)增速的預(yù)測(cè)，增速在13%~20%不等。

2024年將是半導(dǎo)體的復(fù)蘇之年，其中存儲(chǔ)芯片的增速最快。根據(jù)WSTS于2023.11月發(fā)布的統(tǒng)計(jì)與預(yù)測(cè)，2023年全年半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模整體下降9.4%，而2024年半導(dǎo)體市場(chǎng)整體規(guī)模將增長(zhǎng)13.1%，其中存儲(chǔ)芯片行業(yè)規(guī)模有望飆升至1300億美元左右，相比前一年大幅增長(zhǎng)超過(guò)40%。

存儲(chǔ)芯片的快速增長(zhǎng)，將帶來(lái)Low-α球硅/球鋁的需求增量。HBM屬于存儲(chǔ)芯片中的一種，由于高帶寬、高容量、低功耗等優(yōu)勢(shì)，突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，受到了存儲(chǔ)巨頭的高度重視。根據(jù)我們2023-11-24外發(fā)的研報(bào)《Low-α球鋁/球硅材料有望顯著受益于先進(jìn)封裝大發(fā)展——HBM概念股異動(dòng)點(diǎn)評(píng)》，HBM的快速增長(zhǎng)將帶來(lái)Low-α球硅/球鋁的需求增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2025年，Low-α球硅/球鋁的市場(chǎng)空間將分別是2022年的1.66/2.91倍。

2023年半導(dǎo)體前道晶圓制造材料的國(guó)產(chǎn)化率較低的三個(gè)品種為：光刻膠、掩膜版和前驅(qū)體。2023年中國(guó)半導(dǎo)體晶圓制造材料的整體國(guó)產(chǎn)化率為20%-30%，其中電子特氣、靶材國(guó)產(chǎn)化率約為30-40%；硅片、濕電子化學(xué)品、CMP耗材總體國(guó)產(chǎn)化率約在20-30%。而光刻膠的國(guó)產(chǎn)化率仍然較低，其中EUV光刻膠的國(guó)產(chǎn)化率為0，ArF光刻膠國(guó)產(chǎn)化率僅1%；此外，掩膜版、前驅(qū)體材料的國(guó)產(chǎn)化率也相對(duì)而言較低。

EUV光刻膠為目前最前沿的技術(shù)難題，以氧化鋯為主要成分的金屬基光刻膠為目前研究進(jìn)展較快的技術(shù)路線(xiàn)。目前已報(bào)道的EUV光刻膠類(lèi)型主要包括聚合物基光刻膠、有機(jī)分子玻璃光刻膠、金屬基光刻膠等。由于金屬基光刻膠的尺寸小、EUV吸收率高以及抗刻蝕性強(qiáng)，金屬基光刻膠得到了更為廣泛的研究。2023年10月，清華大學(xué)的何向明研究員、徐宏副教授研發(fā)出了一種極其靈敏的氧化鋯雜化光刻膠系統(tǒng)，其靈敏度幾乎比聚合物基光刻膠高出兩個(gè)數(shù)量級(jí)。

2020至2025年，EUV光刻膠的市場(chǎng)占有率將由不到1%增長(zhǎng)到10%，氧化鋯需求也有望受到拉動(dòng)。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)，2020年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)中占比最大的為ArFi，達(dá)40%，其次為KrF占比33%，EUV僅占不到1%。而據(jù)集邦咨詢(xún)預(yù)測(cè)，隨著業(yè)界對(duì)提高計(jì)算能力和能效的芯片的追求，EUV光刻膠將迎來(lái)大幅增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2025年，EUV光刻膠將占據(jù)10%的市場(chǎng)份額。

功率半導(dǎo)體的后道封裝環(huán)節(jié)中，納米銀是值得關(guān)注的材料。納米銀燒結(jié)工藝是一種采用納米銀漿料作為導(dǎo)電粘結(jié)材料的芯片封裝方法。簡(jiǎn)單說(shuō)就是用納米銀取代傳統(tǒng)封裝工藝中的金、錫等金屬焊料。納米銀的低溫連接、高服役溫度、高連接強(qiáng)度、高導(dǎo)熱率，使得其特別適合作為大功率模塊的封裝材料。目前，半導(dǎo)體封裝用納米銀的應(yīng)用仍然處于起步階段，市場(chǎng)空間廣闊。

投資建議：2024年將是半導(dǎo)體復(fù)蘇的一年，其中存儲(chǔ)芯片、EUV光刻膠以及納米銀的增長(zhǎng)值得關(guān)注。存儲(chǔ)芯片方向，建議關(guān)注Low-α球硅/球鋁上市企業(yè)聯(lián)瑞新材、壹石通；EUV光刻膠方向，根據(jù)清華大學(xué)最新研究進(jìn)展，可能采用氧化鋯基光刻膠的技術(shù)路線(xiàn)，建議關(guān)注鋯金屬上市企業(yè)東方鋯業(yè)；納米銀方向，建議關(guān)注西部材料（目前公司研發(fā)的納米銀線(xiàn)主要應(yīng)用于柔性屏，是否能實(shí)際應(yīng)用于功率半導(dǎo)體封裝尚未明晰）。

風(fēng)險(xiǎn)提示：半導(dǎo)體技術(shù)路線(xiàn)更替風(fēng)險(xiǎn)，政策變動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)，理論研究未落地風(fēng)險(xiǎn)等。

(來(lái)源：慧博投研)

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(編輯 曾健輝)