每經(jīng)AI快訊，中信證券研報認為，在AI大模型時代云端、終端算力雙重爆發(fā)的帶動下，存儲行業(yè)將從漲價修復(fù)周期轉(zhuǎn)向技術(shù)成長共振的新周期。云端角度，HBM高帶寬特性能夠滿足AI算力芯片高速傳輸需求，與AI算力規(guī)?？焖贁U容相輔相成，帶動TSV、2.5D封裝(CoWoS)需求；此外企業(yè)級內(nèi)存條和SSD需求亦同步攀升。終端角度，端側(cè)大模型落地帶動SoC算力提升，內(nèi)存作為算力的核心配套，對其規(guī)格、容量均提出更高的要求。對于新型存儲HBM，我們建議關(guān)注布局先進封裝的封測廠商、半導(dǎo)體設(shè)備廠商；對于傳統(tǒng)存儲DRAM/NAND Flash，我們建議關(guān)注受益DDR5滲透的內(nèi)存配套芯片廠商，以及布局企業(yè)級內(nèi)存模組的頭部模組廠商。